MRFG35003N6AT1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 1. MRFG35003N6A Test Circuit Schematic
Z1 0.045″
x 0.753
Microstrip
Z2, Z4 0.045″
x 0.025
Microstrip
Z3 0.020″
x 0.360
Microstrip
Z5 0.045″
x 0.075
Microstrip
Z6 0.045″
x 0.055
Microstrip
Z7 0.300″
x 0.125
Microstrip
Z8, Z10 0.146″
x 0.070
Microstrip
Z9 0.025″
x 0.485
Microstrip
C11
RF
INPUT
RF
OUTPUT
R1
C10
C9
C8
Z9
C1
C3
C20
Z1 Z2 Z3 Z4 Z6 Z7 Z8 Z10 Z11 Z13 Z14Z5
VBIAS
C7
C6
C5
C4
C2
Z17
Z16
Z15
C22
C21
C15
Z12
C16
C17
C18
C19
VSUPPLY
C14
C13
C12
Z11 0.300″
x 0.215
Microstrip
Z12 0.025″
x 0.497
Microstrip
Z13 0.025″
x 0.322
Microstrip
Z14 0.025″
x 0.270
Microstrip
Z15 0.025″
x 0.083
Microstrip
Z16 0.045″
x 0.050
Microstrip
Z17 0.045″
x 0.467
Microstrip
PCB Rogers 4350, 0.020″, εr
= 3.5
Table 6. MRFG35003N6A Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
C1
0.5 pF Chip Capacitor
08051J0R5BBS
AVX
C2
0.4 pF Chip Capacitor
06035J0R4BBS
AVX
C3
0.5 pF Chip Capacitor
06035J0R5BBS
AVX
C4, C19, C20
6.8 pF Chip Capacitors
08051J6R8BBS
AVX
C5, C18
10 pF Chip Capacitors
ATC100A100JT150XT
ATC
C6, C17
100 pF Chip Capacitors
ATC100A101JT150XT
ATC
C7, C16
100 pF Chip Capacitors
ATC100B101JT500XT
ATC
C8, C15
1000 pF Chip Capacitors
ATC100B102JT50XT
ATC
C9, C14
0.01 μF Chip Capacitors
ATC200B103KT50XT
ATC
C10, C13
39K pF Chip Capacitors
ATC200B393KT50XT
ATC
C11, C12
10 μF, 50 V Chip Capacitors
GRM55DR61H106KA88B
Murata
C21, C22
0.7 pF Chip Capacitors
08051J0R7BBS
AVX
R1
50 Ω
Chip Resistor
CRCW040250R0FKTA
Vishay
相关PDF资料
MRFG35003N6T1 MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
MRFG35005ANT1 TRANSISTOR RF 4.5W 12V PLD-1.5
MRFG35005MT1 MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD
MRFG35005NT1 MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD
MRFG35010ANT1 TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
MRFG35010AR1 TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF
MRFG35010MT1 MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD
MRFG35010NT1 MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD
相关代理商/技术参数
MRFG35003N6T1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003NR5 功能描述:TRANSISTOR RF 3W 12V POWER FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003NT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35005ANT1 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 4.5W GAAS PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35005MR5 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 12V 1.5PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35005MT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35005MT1_06 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35005NR5 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR